K3KL7L70EM-MGCU vs K3KLALA0DM-MGCU مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL7L70EM-MGCU بواسطة Samsung Electronics و K3KLALA0DM-MGCU بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K3KL7L70EM-MGCU | K3KLALA0DM-MGCU |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| نوع الذاكرة | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit (1.5 GB) | 16 Gbit (2 GB) per die |
| العلبة | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Suffix | -MGCU | MGCU (6400 Mbps class) |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] | — |
| Supply Voltage VDD | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| Supply Voltage VDDQ | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] | — |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: organization x32] | [DATA_NEEDED: die organization x16/x32] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Maximum Data Rate | — | 6400 Mbps per pin |
| الواجهة | — | LPDDR5X (LPDDR5X-class channel) |
| Supply Voltage - Core (VDD1) | — | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] |
| Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Grade | — | Mobile / Low Power Mobile Grade |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch mm] |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia (per distributor listing) |
| DRAM Process | — | Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family) |