K3KL7L70EM-MGCU vs K3KLALA0DM-MGCU তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K3KL7L70EM-MGCU নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K3KLALA0DM-MGCU নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung
K3KLALA0DM-MGCU ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K3KL7L70EM-MGCU | K3KLALA0DM-MGCU |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| মেমরি টাইপ | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit (1.5 GB) | 16 Gbit (2 GB) per die |
| প্যাকেজ | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Suffix | -MGCU | MGCU (6400 Mbps class) |
| ডেটা রেট | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] | — |
| Supply Voltage VDD | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| Supply Voltage VDDQ | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] | — |
| সংগঠন | [DATA_NEEDED: organization x32] | [DATA_NEEDED: die organization x16/x32] |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Maximum Data Rate | — | 6400 Mbps per pin |
| ইন্টারফেস | — | LPDDR5X (LPDDR5X-class channel) |
| Supply Voltage - Core (VDD1) | — | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] |
| Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Grade | — | Mobile / Low Power Mobile Grade |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch mm] |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia (per distributor listing) |
| DRAM Process | — | Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family) |