K3LKCKC0BM-MGCP vs K3LK4K40CM-BGCP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3LKCKC0BM-MGCP بواسطة Samsung Electronics و K3LK4K40CM-BGCP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K3LKCKC0BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP ✓ نشط
Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K3LKCKC0BM-MGCP K3LK4K40CM-BGCP
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
حجم الذاكرة 64 Gbit —
Memory Organization 2G x32 —
معدل البيانات 6400 Mbps 6400 Mbps per pin
الواجهة Parallel LPDDR5 (JEDEC)
Technology CMOS —
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
درجة حرارة التشغيل -25 C to +85 C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
العلبة FBGA-315 (PBGA315) 496-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Volatile / Non-Volatile Volatile —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Power Consumption - Active [DATA_NEEDED: active power] —
Power Consumption - Standby [DATA_NEEDED: standby power] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 96 Gb (12 GB)
التنظيم — 1536M x 64
Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Scheme — Per-bank / all-bank refresh
Power-Down Modes — Deep sleep / power-down supported
Application Segment — Mobile, embedded, computing modules
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر