K3LKCKC0BM-MGCP vs K3LK4K40CM-BGCP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3LKCKC0BM-MGCP द्वारा Samsung Electronics और K3LK4K40CM-BGCP द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K3LKCKC0BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K3LKCKC0BM-MGCP K3LK4K40CM-BGCP
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
मेमोरी आकार 64 Gbit —
Memory Organization 2G x32 —
डेटा दर 6400 Mbps 6400 Mbps per pin
इंटरफ़ेस Parallel LPDDR5 (JEDEC)
Technology CMOS —
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
ऑपरेटिंग तापमान -25 C to +85 C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
पैकेज FBGA-315 (PBGA315) 496-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Volatile / Non-Volatile Volatile —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Power Consumption - Active [DATA_NEEDED: active power] —
Power Consumption - Standby [DATA_NEEDED: standby power] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 96 Gb (12 GB)
संगठन — 1536M x 64
Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Scheme — Per-bank / all-bank refresh
Power-Down Modes — Deep sleep / power-down supported
Application Segment — Mobile, embedded, computing modules
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]

डेटाशीट और संसाधन

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