K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WF-BITD بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (PB) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| زمن الوصول CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| الواجهة | Parallel, DDR4 SSTL12 | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Die Generation | — | D-die |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| حالة RoHS | — | Compliant (PB lead-free suffix) |
| خالٍ من الهالوجين | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |