K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BIRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BIRC | K4A8G085WB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $6.56 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to 95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 78-FBGA | 78-pin FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Die Family | B-die | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| الواجهة | SSTL-12 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | — | DLL Enabled mode (per datasheet) |
| Speed Grade Suffixes | — | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) |
| tCL/cas latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | — | [DATA_NEEDED: VTT value] |