K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIRC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $6.56 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gbit
سازمان 1G x 8 1G x 8
نرخ داده 2400 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps]
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.2 V
دمای کاری -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 78-FBGA 78-pin FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Die Family B-die —
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 16 —
رابط SSTL-12 —
RoHS Compliant —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Operating Mode — DLL Enabled mode (per datasheet)
Speed Grade Suffixes — -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming)
tCL/cas latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank/bank group count]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) — [DATA_NEEDED: VTT value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت