K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخر فرصة للشراءمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | آخر فرصة للشراء |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0C to +95C |
| العلبة | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| نوع الواجهة | — | Synchronous, parallel |