K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0C to +95C |
| पैकेज | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Synchronous, parallel |