K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخرین فرصت خریدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | آخرین فرصت خرید |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | 0C to +95C |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| نوع رابط | — | Synchronous, parallel |