K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WA-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WA-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WA-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +85C |
| العلبة | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-FBGA |
| الواجهة | SSTL-12 | Synchronous, DDR4 |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| حالة RoHS | RoHS (per LCSC listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) |
| Application Class | — | Computing, embedded, consumer main memory |
| Package Family | — | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |