K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH90 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYH90 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (PC3-12800) | 2133 Mbps/pin |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| زمن الوصول CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT pin) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |