K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYK000 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| العلبة | 96-FBGA (BYK) | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| جهد التغذية | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| معدل البيانات | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| عدد الدبابيس | — | 96 |