K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYK000 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYMA
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $14.32
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
মেমরি সাইজ 4 Gbit —
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
প্যাকেজ 96-FBGA (BYK) FBGA-96
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ইন্টারফেস Parallel —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C
বৈশিষ্ট্য Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Access Time 1.25 ns —
Density — 4 Gb
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
ডেটা রেট — 1866 Mbps/pin
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant
CAS লেটেন্সি — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
পিনের সংখ্যা — 96

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট