K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYK000 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Paket | 96-FBGA (BYK) | FBGA-96 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | Parallel | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Özellikler | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Veri Hızı | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Pin Sayısı | — | 96 |