K4RAH086VB-BCWM vs K4RHE086VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCWM | K4RHE086VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $44.55 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| الواجهة | DDR5 (parallel) | DDR5 (JEDEC) |
| العلبة | FBGA-82 | 82 FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| حالة RoHS | Compliant | unknown |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 24 Gb |
| Configuration | — | x8 |
| Application Segment | — | Server / Data Center / Premium PC |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |