K4RAH165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RBH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| Technology | DDR5 | — |
| العلبة | FBGA-106 | FBGA-106 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Write CRC | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |