K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RBH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE086VB-BCWM | K4RBH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gbit |
| التنظيم | 2G x 8 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| العلبة | 82 FBGA | FBGA-106 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| حالة RoHS | unknown | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Data Rate Class | — | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) |
| Write CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Operating Mode | — | DLL Enabled |
| Lead Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |