K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE165VB-BCWM | K4RBH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| العلبة | 106 FBGA | 82-FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0 C to 85 C |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel, DDR5 | Parallel, DDR5 |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Memory Format | — | Volatile (DRAM) |
| Technology | — | DDR5 SDRAM |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| On-Die ECC | — | Yes (per JEDEC DDR5 specification) |