K9QDGB8U7M vs K9PDG08U5M مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9QDGB8U7M بواسطة Samsung Electronics و K9PDG08U5M بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل K9QDGB8U7M K9PDG08U5M
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة Unknown نهاية العمر الإنتاجي
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
نوع الذاكرة NAND Flash NAND Flash (SLC)
Density [DATA_NEEDED: Density] 4 Gbit
التنظيم [DATA_NEEDED: Organization] x8 (multiplexed I/O)
نوع الواجهة [DATA_NEEDED: Interface Type] —
جهد التغذية [DATA_NEEDED: Supply Voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
العلبة — TSOP1-48
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر