K9QDGB8U7M vs K9PDG08U5M तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9QDGB8U7M द्वारा Samsung Electronics और K9PDG08U5M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
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K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर K9QDGB8U7M K9PDG08U5M
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति Unknown उत्पादन बंद
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Family K9 NAND Flash —
मेमोरी प्रकार NAND Flash NAND Flash (SLC)
Density [DATA_NEEDED: Density] 4 Gbit
संगठन [DATA_NEEDED: Organization] x8 (multiplexed I/O)
इंटरफ़ेस प्रकार [DATA_NEEDED: Interface Type] —
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: Supply Voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
पैकेज — TSOP1-48
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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