M25P40-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P40-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P40-VMN3PB M25P40-VMN3PB - 4Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P40-VMN3PB - 4Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P40-VMN3PB Obsolete
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M25P40-VMN3PB M25P80-VMN3PB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة Obsolete نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة FLASH - NOR FLASH - NOR Memory IC
حجم الذاكرة 4 Mbit (512K x 8) 8 Mbit (1M x 8)
التنظيم 512K x 8 (x1 serial) 1M x 8 bit
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
الواجهة SPI Serial SPI
جهد التغذية 2.3 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة / الحالة 8-SOIC (3.90 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube —
Temperature Grade Automotive —
Product Longevity Program Yes (start date 5/4/2011) —
Sector Size [DATA_NEEDED: sector organization] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
HOLD Pin Yes —
Technology CMOS, SLC NOR —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
العلبة — 8-SO (SOIC-8)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Access Time — 8 ns
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر