M25P40-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P40-VMN3PB द्वारा Micron Technology और M25P80-VMN3PB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M25P40-VMN3PB M25P40-VMN3PB - 4Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P40-VMN3PB - 4Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P40-VMN3PB Obsolete
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P40-VMN3PB M25P80-VMN3PB
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR FLASH - NOR Memory IC
मेमोरी आकार 4 Mbit (512K x 8) 8 Mbit (1M x 8)
संगठन 512K x 8 (x1 serial) 1M x 8 bit
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz 75 MHz
इंटरफ़ेस SPI Serial SPI
सप्लाई वोल्टेज 2.3 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज / केस 8-SOIC (3.90 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube —
Temperature Grade Automotive —
Product Longevity Program Yes (start date 5/4/2011) —
Sector Size [DATA_NEEDED: sector organization] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
HOLD Pin Yes —
Technology CMOS, SLC NOR —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
पैकेज — 8-SO (SOIC-8)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Access Time — 8 ns
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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