M25P80-VMN3PB vs N25Q032A13EF4A0F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EF4A0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M25P80-VMN3PB N25Q032A13EF4A0F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC FLASH - NOR Memory IC (Serial)
حجم الذاكرة 8 Mbit (1M x 8) 32 Mbit (4 MB)
الواجهة SPI SPI (Multi-I/O)
أقصى تردد للساعة 75 MHz —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
التنظيم 1M x 8 bit —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة 8-SO (SOIC-8) 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns [DATA_NEEDED: access time]
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Clock Frequency — 108 MHz
Read Modes — Standard, Dual, Quad SPI
Erase Granularity — 4 KB subsector / 64 KB sector
Grade — Automotive
Write Cycle Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
Program/Erase Speed — [DATA_NEEDED: page program time]
Packaging — Tape & Reel (T&R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر