M25P80-VMN3PB vs N25Q032A13EF4A0F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P80-VMN3PB द्वारा Micron Technology और N25Q032A13EF4A0F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति
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N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P80-VMN3PB N25Q032A13EF4A0F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC FLASH - NOR Memory IC (Serial)
मेमोरी आकार 8 Mbit (1M x 8) 32 Mbit (4 MB)
इंटरफ़ेस SPI SPI (Multi-I/O)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
संगठन 1M x 8 bit —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज 8-SO (SOIC-8) 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns [DATA_NEEDED: access time]
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Clock Frequency — 108 MHz
Read Modes — Standard, Dual, Quad SPI
Erase Granularity — 4 KB subsector / 64 KB sector
Grade — Automotive
Write Cycle Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
Program/Erase Speed — [DATA_NEEDED: page program time]
Packaging — Tape & Reel (T&R)

डेटाशीट और संसाधन

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