M29F160FT55N3F2 vs M29F160FT55N3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits
التنظيم 1M x 16 / 2M x 8 —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
الواجهة Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-Pin TSOP 48-TSOP I
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
جهد التغذية — 5 V
Boot Block — Top Boot Block
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر