M29F160FT55N3F2 vs M29F160FT55N3E2 비교
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Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ 활성Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F160FT55N3F2 | M29F160FT55N3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.90 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) | NOR Flash |
| Density | 16 Mbit (16777 kbits) | 16777 kbits |
| 메모리 구성 | 1M x 16 / 2M x 8 | — |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (operating 4.5 V) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Synchronous / Asynchronous | Asynchronous | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT) | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-Pin TSOP | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Program / Erase | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Organization | — | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| Boot Block | — | Top Boot Block |
| Temperature Grade | — | Automotive Grade 3 |
| Bus Width | — | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) |
| Program/Erase | — | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) |
| Factory Erase State | — | All bits erased to 1 |