M29F160FT55N3F2 vs M29F160FT55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FT55N3F2 par Micron Technology et M29F160FT55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Flash Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,90 $0,00
Type de mémoire NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits
Organisation de la mémoire 1M x 16 / 2M x 8 —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
Interface Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-Pin TSOP 48-TSOP I
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
Tension d'alimentation — 5 V
Boot Block — Top Boot Block
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

Fiches techniques et ressources

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