M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FT55N3F2 M29F200FT55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel, Asynchronous) Parallel NOR Flash
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
التنظيم 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
الواجهة Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-Pin TSOP 44-pin SO (TSOP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر