M29F200FT55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FT55N3F2 M29F160FB55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
التنظيم 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 to +125 C
العلبة 48-pin TSOP —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
جهد التغذية — 5 V
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر