M29F400FB55M3E2 vs M29F400FT55M3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F400FB55M3E2 بواسطة Micron Technology و M29F400FT55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F400FB55M3E2 M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F400FB55M3E2 M29F400FT55M3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash
الواجهة Parallel Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) —
التنظيم 512K x 8 / 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words 256 k 256 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
جهد التغذية 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (Automotive Grade) -40 C to +125 C
Package Type 44-pin SO (SOP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
حالة RoHS RoHS-compliant package (E suffix) Compliant
Automotive Grade Yes (Grade 3, 125 C) —
حجم الذاكرة — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
العلبة — 44-SO (SOP-44)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر