M29F400FT55N3E2 vs M29W400FB55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F400FT55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F400FT55N3E2 M29W400FB55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) NOR Flash (parallel)
Density 4 Mbit (512K x 8) 4 Mbit (4194 kbits)
Access Time 55 ns 55 ns
جهد التغذية 5 V (single supply) —
الواجهة Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Boot Block Architecture Top boot (FT variant) —
العلبة 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Supply No 12 V VPP required (5.0 V programming) —
Command Set JEDEC standard compatible —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: Active Current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: Standby Current] —
Block Protection Hardware block protection —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
التنظيم — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر