M29F400FT55N3E2 vs M29W400FB55N3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F400FT55N3E2 מאת Micron Technology ו M29W400FB55N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron
M29F400FT55N3E2 ✓ פעילMicron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | M29F400FT55N3E2 | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | EEPROM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (parallel) |
| Density | 4 Mbit (512K x 8) | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| מתח אספקה | 5 V (single supply) | — |
| ממשק | Parallel | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT variant) | — |
| מארז | 44-SO (SOP-44) | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Supply | No 12 V VPP required (5.0 V programming) | — |
| Command Set | JEDEC standard compatible | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: Active Current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Block Protection | Hardware block protection | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| ארגון | — | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Block Architecture | — | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |