M29F800FB55M3F2 vs M29F400FB55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F400FB55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F400FB55M3F2 M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F800FB55M3F2 M29F400FB55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 8389 kbits (8 Mbit) 4194 kbits (4 Mbit)
التنظيم 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Type Bottom Boot Block —
الواجهة Parallel, Asynchronous —
Programming Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithm
OTP Area 64 byte —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
العلبة 44-pin SO (SOIC-44) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F2 suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Boot Block Position — Bottom boot block
Grade — Automotive (Auto Grade, 125C)
Package Type — 44-pin SO (SOP), wide body
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Packaging — Tape and Reel (TR)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (selectable)
عدد الدبابيس — 44

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر