M29F800FB55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F400FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FB55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| التنظيم | 1M x 8 / 512K x 16 | 256K x 16 / 512K x 8 |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| نوع الواجهة | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free terminations) | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| نوع الذاكرة | — | NOR Flash |
| Density | — | 4 Mbit (4194 kbit) |
| الواجهة | — | Parallel |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| العلبة | — | 48-TSOP I |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |