M29F800FB55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F400FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ सक्रिय
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M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F800FB55N3F2 M29F400FB55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
संगठन 1M x 8 / 512K x 16 256K x 16 / 512K x 8
सप्लाई वोल्टेज 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
इंटरफ़ेस प्रकार Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free build per F2 suffix)
मेमोरी प्रकार — NOR Flash
Density — 4 Mbit (4194 kbit)
इंटरफ़ेस — Parallel
Boot Block — Bottom boot block
पैकेज — 48-TSOP I
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

डेटाशीट और संसाधन

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