M29W064FT70N3E vs M29W064FB70N3F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W064FT70N3E بواسطة Micron Technology و M29W064FB70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology
M29W064FB70N3F Obsoleteمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W064FT70N3E | M29W064FB70N3F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit | 64 Mbit |
| التنظيم | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 8M x8 / 4M x16 |
| الواجهة | Parallel, CFI compliant | Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-TSOP | 48-TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (F suffix) |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot block (FB) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Status Polling | — | RY/BY# hardware pin + data polling |
| Erase/Program Interface | — | Command set (M29W family compatible) |
| Part Status | — | Obsolete |