M29W128GH70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W128GH70ZA3E بواسطة Micron Technology و M29W128GL70ZS3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W128GH70ZA3E M29W128GL70ZS3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash
حجم الذاكرة 128 Mbit 128 Mbit (16 MB)
التنظيم 8M x 16 —
الواجهة Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Technology SLC NOR —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة 64-TBGA (10x13 mm) 64-FBGA (11x13 mm)
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C (per distributor code data)
Boot Block Architecture Bottom boot (GH suffix) Bottom boot (GL)
Program/Erase Voltage [DATA_NEEDED: program/erase voltage] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
CFI Compliant [DATA_NEEDED: CFI compliance] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر