M29W128GH70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GH70ZA3E توسط Micron Technology و M29W128GL70ZS3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ فعالMicron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29W128GH70ZA3E | M29W128GL70ZS3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash |
| اندازه حافظه | 128 Mbit | 128 Mbit (16 MB) |
| سازمان | 8M x 16 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| بستهبندی | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-FBGA (11x13 mm) |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C (per distributor code data) |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | Bottom boot (GL) |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Family | — | M29W128G (GL variant) |
| Bus Width | — | x16 |
| Program/Erase Supply | — | Single supply (no separate VPP required) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |