M29W160ET70N3F vs M29W160FB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology و M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ نشط
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160ET70N3F M29W160FB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Parallel NOR Flash FLASH - NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
جهد التغذية 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
العلبة 48-pin TSOP —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel Tray
حالة RoHS RoHS-compliant package (F option) —
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
الواجهة — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Architecture — Boot block
العلبة / الحالة — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر