M29W160ET70N3F vs M29W160FB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160ET70N3F द्वारा Micron Technology और M29W160FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ सक्रिय
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M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W160ET70N3F M29W160FB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash FLASH - NOR
मेमोरी आकार 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
सप्लाई वोल्टेज 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
पैकेज 48-pin TSOP —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel Tray
RoHS स्थिति RoHS-compliant package (F option) —
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
इंटरफ़ेस — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Architecture — Boot block
पैकेज / केस — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

डेटाशीट और संसाधन

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