M29W320DB70N3E vs M29W400FT55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W320DB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W320DB70N3E M29W400FT55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 32 Mbit (33554 kbits) —
التنظيم 2M x 16 —
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
الواجهة Parallel Parallel
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP I
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS ROHS3 Compliant —
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
حجم الذاكرة — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر