M29W320DB70N3E vs M29W400FT55N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W400FT55N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W320DB70N3E M29W400FT55N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Flash Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 32 Mbit (33554 kbits) —
Organizasyon 2M x 16 —
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Arayüz Parallel Parallel
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu ROHS3 Compliant —
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Bellek Boyutu — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin