M29W400FB55N3F vs M29W400FT55N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3F بواسطة Micron Technology و M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W400FB55N3F | M29W400FT55N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | Flash - NOR Memory IC |
| حجم الذاكرة | 4 Mbit | 4 Mbit |
| التنظيم | 512K x8 / 256K x16 | — |
| الواجهة | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) |
| Program/Erase Supply | Single 2.7 V to 3.6 V | — |
| Byte/Word Select | BYTE# pin | — |
| Block Architecture | Boot block with hardware sector protection | — |
| Program Suspend/Erase Suspend | Supported | — |
| العلبة | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) | 48-TSOP I |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Lead-Free / RoHS | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| Sector Size | — | 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) |
| Boot Block Position | — | Top (FT suffix) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 48 |
| Package Code / Shape | — | TSSOP / Rectangular |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Peak Reflow Time | — | 30 s max |
| Companion Access-Time Grade | — | 55 ns and 70 ns versions available in family |