M29W400FT55N3F vs M29F800FB55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FT55N3F بواسطة Micron Technology و M29F800FB55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ نشط
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FT55N3F M29F800FB55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash, Parallel
حجم الذاكرة 4 Mbit —
الواجهة Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
التنظيم 4Mbit, block-organized, top boot block 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Program/Erase Block erase, word/byte program —
العلبة 48-TSOP I 44-pin SO (SOIC-44)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر