MJ2955 vs MJ3055 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MJ2955 بواسطة onsemi و MJ3055 بواسطة Seme LAB. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MJ2955 | MJ3055 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | Seme LAB |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | PNP | — |
| Polarity | PNP (complement of 2N3055) | NPN |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 60 V | — |
| جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) | 60 V | — |
| جهد الباعث-القاعدة (Vebo) | 7 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) | 15 A | — |
| Continuous Base Current (IB) | 7 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 115 W at 25 °C case | — |
| Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) | 1.52 °C/W | — |
| DC Current Gain (hFE) | 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V) | [DATA_NEEDED: hFE range] |
| جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) | 1.1 V typical (at IC = 15 A) | — |
| تردد الانتقال (ft) | 4 MHz | [DATA_NEEDED: fT] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -65 °C to +200 °C | — |
| العلبة | TO-3 (TO-204-3) metal case | TO-3 (hermetically sealed metal can) |
| نوع التركيب | Chassis / Through-hole bolt-down | Through Hole |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | — | 60 V |
| Maximum Collector Current (IC) | — | 10 A |
| Technology | — | Bipolar (BJT), silicon NPN |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation PD] |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCE(sat)] |
| Hermetic Sealing | — | Yes (metal can) |
| Screening Options | — | BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Complementary PNP Type | — | MJ2955 |
| Typical Applications | — | General-purpose amplifier and switching |