MJ2955 vs MJ3055 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MJ2955 tarafından onsemi ve MJ3055 tarafından Seme LABAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MJ2955 | MJ3055 |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | Seme LAB |
| Kategori | Transistors | Transistors |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | PNP | — |
| Polarity | PNP (complement of 2N3055) | NPN |
| Toplayıcı-Emisör Voltage (Vceo) | 60 V | — |
| Toplayıcı-Basıt电压 (Vcbo) | 60 V | — |
| Emisör-Basıt Voltage (Vebo) | 7 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) | 15 A | — |
| Continuous Base Current (IB) | 7 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 115 W at 25 °C case | — |
| Junction-to-Case Thermal Resistance (θJC) | 1.52 °C/W | — |
| DC Current Gain (hFE) | 20 to 70 (at IC = 4 A, VCE = 4 V) | [DATA_NEEDED: hFE range] |
| Toplayıcı-Emisör Doldurma电压 (Vce(sat)) | 1.1 V typical (at IC = 15 A) | — |
| Geçiş Frekansı (ft) | 4 MHz | [DATA_NEEDED: fT] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -65 °C to +200 °C | — |
| Paket | TO-3 (TO-204-3) metal case | TO-3 (hermetically sealed metal can) |
| Montaj Türü | Chassis / Through-hole bolt-down | Through Hole |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | — | 60 V |
| Maximum Collector Current (IC) | — | 10 A |
| Technology | — | Bipolar (BJT), silicon NPN |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation PD] |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCE(sat)] |
| Hermetic Sealing | — | Yes (metal can) |
| Screening Options | — | BS, CECC, JAN, JANTX, JANTXV, JANS (per Seme LAB) |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Complementary PNP Type | — | MJ2955 |
| Typical Applications | — | General-purpose amplifier and switching |