MMG3004NT1 vs MMG3004NT1528 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMG3004NT1 بواسطة NXP Semiconductors و MMG3004NT1528 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MMG3004NT1528 MMG3004NT1528 - 400-2200 MHz 17dB 27dBm InGaP HBT GPA | NXP

MMG3004NT1528 - 400-2200 MHz 17dB 27dBm InGaP HBT GPA | NXP

MMG3004NT1528 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MMG3004NT1 MMG3004NT1528
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة RF Amplifiers RF Amplifiers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) —
الوظيفة General Purpose Amplifier (GPA), Class A, small-signal, broadband —
Frequency Range 400 MHz to 2200 MHz 400 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 17 dB (typical) 17 dB
Output Power (P1dB) +27 dBm (typical) —
Output Third-Order Intercept (OIP3) [DATA_NEEDED: OIP3] —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range] —
Operating Supply Current [DATA_NEEDED: ICC] —
Input/Output Matching Internally prematched to 50 ohm —
العلبة 16-PQFN (5x5 mm) 16-pin PQFN (5x5 mm)
Package Type PQFN-16 with exposed thermal paddle —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Description — InGaP HBT Broadband General-Purpose Amplifier
Process Technology — Indium Gallium Phosphide HBT (InGaP HBT)
Output P1dB — +27 dBm
جهد التغذية — [DATA_NEEDED: Vcc typical]
تيار التغذية — [DATA_NEEDED: Icc typical]
Noise Figure — [DATA_NEEDED: NF dB]
OIP3 — [DATA_NEEDED: OIP3 dBm]
Input Return Loss — [DATA_NEEDED: S11 dB]
Output Return Loss — [DATA_NEEDED: S22 dB]
درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C
Packaging — Tape and Reel (1500-unit reel, 528 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر