MPX2010D vs MPX2010GP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX2010D بواسطة STMicroelectronics و MPX2010GP بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MPX2010D MPX2010GP
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Pressure Type Differential (Port 1 vs Port 2) Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
نوع الخرج Analog Wheatstone Bridge (mV) —
Output Voltage Span 0 mV to 25 mV at 10V excitation —
Sensitivity 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation) —
Excitation Voltage 10 V (typical), 16 V (maximum) —
Linearity 0.1% of full-scale (typical) [DATA_NEEDED: linearity %FS]
نطاق درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C -40 C to +125 C
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] -40 C to +125 C
العلبة / الحالة 4-SIP Module (Case 344-15) 4-SIP Module (Case 344B-01)
نوع التركيب Through-Hole Through-Hole (SIP)
عدد الدبابيس 4 —
On-Chip Temperature Compensation Yes (laser trimmed) —
Bridge Configuration 4-arm piezoresistive Wheatstone —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet] Compliant
Sensor Family MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010 —
Diaphragm Type Single monolithic silicon —
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload pressure]
Sensitivity (Full-Scale Span) — 25 mV typical at 10 V excitation
نطاق جهد الخرج — 0 mV to 25 mV (10 V supply)
Offset (Zero Pressure) — 0 mV nominal
Supply Voltage (Excitation) — 10 V DC typical (max per datasheet)
تيار التغذية — 6 mA DC typical
Response Time — 1 ms typical
Temperature Compensation — On-chip, calibrated
Port Style — Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge
Media Compatibility — Dry gases (silicone gel isolation)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر