MPX2010D vs MPX2010GP השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2010D מאת STMicroelectronics ו MPX2010GP מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MPX2010D MPX2010GP
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Pressure Sensors Pressure Sensors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Pressure Type Differential (Port 1 vs Port 2) Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
סוג פלט Analog Wheatstone Bridge (mV) —
Output Voltage Span 0 mV to 25 mV at 10V excitation —
Sensitivity 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation) —
Excitation Voltage 10 V (typical), 16 V (maximum) —
Linearity 0.1% of full-scale (typical) [DATA_NEEDED: linearity %FS]
טווח טמפרטורת פעולה 0 C to +85 C -40 C to +125 C
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] -40 C to +125 C
מארז / Case 4-SIP Module (Case 344-15) 4-SIP Module (Case 344B-01)
סוג הרכבה Through-Hole Through-Hole (SIP)
מספר פינים 4 —
On-Chip Temperature Compensation Yes (laser trimmed) —
Bridge Configuration 4-arm piezoresistive Wheatstone —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet] Compliant
Sensor Family MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010 —
Diaphragm Type Single monolithic silicon —
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload pressure]
Sensitivity (Full-Scale Span) — 25 mV typical at 10 V excitation
טווח מתח פלט — 0 mV to 25 mV (10 V supply)
Offset (Zero Pressure) — 0 mV nominal
Supply Voltage (Excitation) — 10 V DC typical (max per datasheet)
זרם אספקה — 6 mA DC typical
Response Time — 1 ms typical
Temperature Compensation — On-chip, calibrated
Port Style — Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge
Media Compatibility — Dry gases (silicone gel isolation)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר